長江儲存晶片多少奈米制程

長江儲存的3D NAND快閃記憶體晶片工藝製程已經邁向14nm級別。快閃記憶體顆粒並不像手機晶片那樣，對奈米工藝要求那麼高。3D flash的堆疊層數和儲存密度更為重要，相反更大的製程，耐久度更高。flash本來就是消耗品，使用壽命是非常重要的。所以20nm製程足夠了。