砷化鎵的相對分子質量

分子量:144.64。

砷化鎵，化學式GaAs。分子量144.64。深灰色立方晶體。比重5.4。熔點1，238℃。屬Ⅲ、Ⅴ族化合物半導體，禁頻寬度和電子遷移率比元素半導體鍺及矽的大，製成的器件有較好的耐高溫特性及頻率特性 發光特性好及光電轉換率高。高於600℃時被空氣氧化，無氧化劑存在時僅被酸緩慢地侵蝕。由鎵和砷在高溫及一定的砷蒸氣壓下合成。砷化鎵可用於製作變容二極體、場效電晶體、發光二極體，以及太陽能電池、微波發生器和半導體鐳射器等。

144.6446

砷化鎵的分子量

簡介：砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極