空穴傳輸層的厚度一般為

雙層器件的光電效能明顯優於單層器件，同時空穴傳輸層厚度對其光電效能也具有顯著性的影響，當空穴傳輸層厚度為15nm時，雙層器件具有較佳的器件效能，其啟亮電壓最低，發光亮度和發光效率最高。

比較了各器件的主要效能指標可知，一方面雙層器件的效能明顯優於單層器件，另一方面空穴傳輸層的厚度對OL ED 器件的光電效能具有顯著影響，綜合而言，器件C 的效能最好，它具有最低的啟亮電壓，最高的發光亮度和發光效率。