BIOS的memorytiming是什麼意思

==記憶體時序 記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD中。一般數字“A-B-C-D”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）記憶體CAS延遲時間，它是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把CL值印在記憶體條的標籤上 RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間 RAS Precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間 Row Active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主機板的BIOS中可以設定，記憶體模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻記憶體模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的記憶體模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的記憶體效能，幅度在3至5個百分點。拷貝別人的