場效電晶體從結構上可分為兩大類

按結構可分為兩大類：結型場效電晶體（JFET）和絕緣柵型場效電晶體（IGFET）

結型場效電晶體又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金屬--氧化物--半導體場效電晶體（MOS管） 。MOS管又分為“耗盡型”和“增強型”兩種，而每一種又分為N溝道和P溝道 。

結型場效電晶體是利用導電溝道之間耗盡區的寬窄來控制電流的，輸入電阻（105～1015）之間

  絕緣柵型是利用感應電荷的多少來控制導電溝道的寬窄從而控制電流的大小，其輸入阻抗很高(柵極與其它電極互相絕緣)。它在矽片上的整合度高，因此在大規模積體電路中佔有極其重要的地位 。