半導體哪一工藝環節最有前景

目前最有前景的半導體工藝環節便是二硫化鉬（MoS2）。

矽和二硫化鉬（MoS2）都有晶體結構，但是，二硫化鉬對於控制電子的能力要強於矽，眾所周知，電晶體由源極，漏極和柵極，柵極負責電子的流向，它是起開關作用，在1nm的時候，柵極已經很難發揮其作用了，而通過二硫化鉬，則會解決這個問題，而且，二硫化鉬的介電常數非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。