igbt容量是什麼

為絕緣柵雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一個有MOS Gate的BJT電晶體。他是MOSFET和BJT的組合體。，MOSFET主要是單一載流子(多子)導電，而BJT是兩種載流子導電，所以BJT的驅 動電流會比MOSFET大，但是MOSFET的控制級柵極是靠場效應反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗。

IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制電晶體(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達到大電流(低導通壓降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。從而達到驅動功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應用於600V以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。