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100n08場效電晶體引數
100n08場效電晶體的引數具體如下：Vgs（±V）：25VTH（V）：2.5-3.5ID（A）：100BVdss（V）：80。RDS(on)=7.5mΩ(typ)VGS=10V封裝形式：TO-220/TO-263。 100n08場效電晶體作為一款N溝道溝槽工藝MOS管，以其100A、80V的特性，飛虹電子更推薦用於60V/12...
