光刻机euv和duv什么区别
首先,二者发光原理不同。
DUV光刻机光源为准分子激光,而EUV光刻机则是激光激发等离子来发射EUV光子。通过不同方式,二者发出的光源也不同。其中,DUV光刻机的波长能达到193纳米,而EUV光源的波长则为13.5纳米。
二者之间的差距十分明显,波长越短,所能实现的分辨率越高。这让EUV光刻机能够承担高精度芯片的生产任务。
其次,二者的光路系统有着明显的差异。
DUV光路主要利用光的折射原理。其中,浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间,填入去离子水,使得193nm的光波等效至134nm而干法光刻机则不会如此,其介质为空气。
而EUV光刻机则是利用的光的反射原理,内部必须为真空操作。这是因为,EUV光刻机的光源极易被介质吸收,只要真空才能最大程度保证光源能量不被损失。
最后,EUV光刻机镜头难度更大。
     目前的光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography)。前者采用极紫外光刻技术,后者采用深紫外光刻技术。EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。
DUV已经能满足绝大多数需求:覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光,光源的波长能达到193纳米。然而,euv激光激发等离子来发射EUV光子,光源的波长则为13.5纳米。
从制程范围方面来谈duv基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,却无法达到10nm以下。euv能满足10nm以下的晶圆权制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
duv和euv光刻机区别还有光路系统不同。
duv:主要利用光的折射原理。其中,浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间,填入去离子水,使得193nm的光波等效至134nm。
euv:利用的光的反射原理,内部必须为真空
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