氮化鎵和硅基區別
這兩種材料的區別如下:(1)物質不同:氮化鎵是一種非金屬氮化物。然而,硅基是一種二氧化硅材料。
(2)分子量不同:氮化鎵的分子量大,然而,硅基的分子量較小。
(3)用途不同:氮化鎵是半導體材料,然而,硅基則是晶體管基體材料。
區別在於:
硅基的氮化鎵比碳基的氮化鎵在線性度上有不同的顯現,可對基站的複雜信號進行數字調製。 
在產能上,碳基氮化鎵由於材料特性,不支持大的晶圓,而硅基氮化鎵材料支持大晶圓的特性,有利於電路的擴展和集成,未來有可能在相關領域取代碳化硅基。 
碳基氮化鎵器件是以碳化硅(SiC)做襯底。硅基氮化鎵工藝的襯底採用硅基。
硅基氮化鎵器件工藝能量密度高、可靠性高,Wafer可以做的大,目前在8英寸,未來可以做到10英寸、12英寸,晶圓的長度可以拉長至2米,無論在產能和成本方面,硅基氮化鎵器件有優勢些。
氮化鎵本身是第三代的半導體材料,許多特性都比傳統硅基半導體更強。 氮化鎵相比傳統硅基半導體,有着更加出色的擊穿能力,更高的電子密度和電子遷移率,還有更高的工作温度。
由於GaN器件比硅具有更好的熱導率和更高的温度,因此,電源的整體尺寸可能顯著減小,可以減少對熱管理組件的需求,如大型散熱器、機架或風扇。移除這些內部元件,以及增加的開關頻率,使得電源不僅更輕,而且更緊湊。
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