ald工藝和pecvd工藝的對比

ALD 工藝直接在芯片表面堆積材料，一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度，以儘可能生成最薄、最均勻的薄膜。工藝的自限特性以及共形沉積的相關能力，是其成為微縮與 3D 技術推動因素的基礎。自限式表面反應讓原子級沉積控制成為可能：薄膜厚度僅取決於執行的反應週期數。表面控制會使薄膜保持極佳的共形性和均勻厚度，這兩點是新興 3D 器件設計的必備特性。

PeCVD（化學氣相沉積）工藝有着廣泛的應用。從晶體管結構圖形化薄膜到電路導電金屬層之間的絕緣材料，CVD 工藝的身影無所不在。