igbt和mos管哪個容易驅動

各有優劣，根據實際情況選擇。

IGBT是達林頓結構，MOS不是。IGBT和MOS都需要一定的門檻電壓（VGSth）來觸發打開但是由於IGBT的達林頓結構導致寄生電容偏大，故需要一定的門極驅動能力，MOS相對較小。

相對的，IGBT的開關頻率普遍較低（30~50K以下）而電流較大（可達1000A）。MOSFET的開關頻率可達500K，而RMS電流普遍較低（一般不超過100A）