背照式cmos与堆栈式cmos

1、堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方，进光量会因受到遮挡而减少，因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转，光线首先进入感光二极管，这样就增大了感光量，从而显著提高低光照条件下的拍摄效果

2、背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素，一个像素点的面积可以被放大，所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害，因而高感也就更强大，而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作，一个像素点的面积不会变大，因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差，高感也就弱

3、虽然堆栈式CMOS的高感不如背照式CMOS，但堆栈式CMOS接收的像素点是原始像素点，而背照式CMOS接收的放大后的像素点，因而在低感光度下堆栈式CMOS的锐度更高，而高感下背照式CMOS的噪点更少。

4、所以，白天拍照堆栈式好，暗光下拍照背照式好。