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100n08场效应管参数
100n08场效应管的参数具体如下：Vgs（±V）：25VTH（V）：2.5-3.5ID（A）：100BVdss（V）：80。RDS(on)=7.5mΩ(typ)VGS=10V封装形式：TO-220/TO-263。 100n08场效应管作为一款N沟道沟槽工艺MOS管，以其100A、80V的特性，飞虹电子更推荐用于60V/12...
