氮化镓和硅基区别
这两种材料的区别如下:(1)物质不同:氮化镓是一种非金属氮化物。然而,硅基是一种二氧化硅材料。
(2)分子量不同:氮化镓的分子量大,然而,硅基的分子量较小。
(3)用途不同:氮化镓是半导体材料,然而,硅基则是晶体管基体材料。
区别在于:
硅基的氮化镓比碳基的氮化镓在线性度上有不同的显现,可对基站的复杂信号进行数字调制。 
在产能上,碳基氮化镓由于材料特性,不支持大的晶圆,而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性,有利于电路的扩展和集成,未来有可能在相关领域取代碳化硅基。 
碳基氮化镓器件是以碳化硅(SiC)做衬底。硅基氮化镓工艺的衬底采用硅基。
硅基氮化镓器件工艺能量密度高、可靠性高,Wafer可以做的大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,晶圆的长度可以拉长至2米,无论在产能和成本方面,硅基氮化镓器件有优势些。
氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。 氮化镓相比传统硅基半导体,有着更加出色的击穿能力,更高的电子密度和电子迁移率,还有更高的工作温度。
由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度,因此,电源的整体尺寸可能显著减小,可以减少对热管理组件的需求,如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件,以及增加的开关频率,使得电源不仅更轻,而且更紧凑。
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