中国光刻机的研发之路
1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺清华大学研制第四代分部式投影光刻机,并在1980年获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。而那时,光刻机巨头ASML还没诞生。
1、双工件台华卓精科自2012年成立,用了10年的时间,在双工件台技术方面,取得了重大突破。2016年,华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机,并成功通过验收。2020年4月,华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台,应用制程达到65nm2021年6月,完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计,已在样机制造集成调试阶段。这项技术的重要性,不言而喻,加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此,攻破双工件台技术的壁垒,不仅打破了国外的技术垄断,更为国产光刻机的研发提供了技术保证。
2、光源系统技术国内研究光刻机的光源系统技术,属北京科益虹源最为成熟,也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造,可用于28nmDUV光刻机上。
是漫长的
1974年9月、1975年12月、1977年1月先后召开关于全国大规模集成电路及基础材料攻关大会战会议。在这三年期间中国成功研制出了分布重复式光刻机、电子束曝光机,超纯水处理系统等一流水平的半导体设备。
中科院半导体研究所1978年开始研制半自动接近式光刻机,1981年研制成功。中科院45所1985年研制出了分布式光刻机。这台分布式光刻机是中国光刻机的标杆也是中国光刻机的绝唱
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