爐管在半導體中的應用

爐管（furnace）半導體制程中廣泛的應用爐管：爐管的內層會套入一個透明的石英管，石英管外圈是電阻式加熱線圈環繞，石棉隔熱，最外層為不鏽鋼。管內有三個熱電偶，分別測量前、中，後三個區域的溫度。

氣體輸送裝置：由手動閥、微粒過濾器、壓力調節器、氣動閥、流量控制器等組成。

爐管在半導體中的應用

爐管（furnace）半導體制程中廣泛的應用於diffusion、drive-in、oxidation、deposition，annealing和sintering製程。裝置分為水平式和垂直式兩種。

水平式爐管，wafer放置在石英晶舟（Quartz Boat）上，且石英晶舟又放在SiC做的承載架（paddle）上，且前後會有適應擋板。

承載架推進石英爐管中，wafer在恆溫區進行反應。結束後wafer也會緩慢拉出，避免館內外溫度差造成wafer彎曲or破裂。

垂直式爐管，wafer在石英塔架上，然後緩慢上升到石英爐管內進行製程，反應晚也需要緩慢降下，防止彎曲or破裂。