pn型半導體的導電機理

原理是由於勢壘高度減低，N型半導體的電子在外加電場的作用下就有較大的概率能越過勢壘到達P型區，產生電流，而P型半導體的空穴也是類似，此時我們就稱PN接面導通了。

除了正向偏壓導通之外，PN接面還會被反向擊穿。反向擊穿一般有兩種，雪崩擊穿和齊納擊穿。

雪崩擊穿是當外加的反向電場足夠大時，半導體內的載流子能量非常高，在和原子發射碰撞時足夠破壞共價鍵，激發出新的載流子。