高溫磷酸去除氮化矽原理

     高溫磷酸去除氮化矽原理：用熱磷酸溼法刻蝕法去除氮化矽。

      將８５％濃磷酸和１５％去離子水（ＤＩＷ）配成並保持在１６０℃的溫度下混合液體進行刻蝕，熱磷酸刻蝕之後的晶片一般採用對鍍膜後的矽片進行熱去離子水清洗除膜，從而去除氮化矽。