碳化矽器件跟半導體晶片的區別

區別在於碳化矽器抗氧化性，和抗鹼行遠強於半導體晶片。

1、抗化合性:當碳化矽材料在氧氣中炮煉到1300℃時，在其碳化矽晶體表層已經生成二化合矽保護層。跟著保護層的加厚實，抵制了裡面碳化矽繼續被化合，這使碳化矽有較好的抗化合性。當氣溫達到1900K(1627℃)以上時，二化合矽保護膜已經被敗壞，碳化矽化合效用加重，從而1900K是碳化矽在含化合劑氛圍下的較高工作氣溫。

2、耐酸鹼性:在耐酸、鹼及化合物的效用方面，因為二化合矽保護膜的效用，碳化矽的抗酸能力非常非常強，抗鹼性稍差。