刻蝕工藝的原理和目的

刻蝕最簡單最常用分類是：幹法刻蝕和溼法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在於溼法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。

溼法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：

溼法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕

優點是選擇性好、重複性好、生產效率高、裝置簡單、成本低

缺點是：鑽刻嚴重、對圖形的控制性較差，不能用於小的特徵尺寸會產生大量的化學廢液

幹法刻蝕種類很多，包括光揮發、氣相腐蝕、電漿體腐蝕等。其優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重複性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入汙染，潔淨度高。缺點是：成本高，裝置複雜。幹法刻蝕主要形式有純化學過程（如遮蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。

幹法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕，電漿刻蝕（Plasma Etching），高壓電漿刻蝕，高密度電漿體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。

蝕刻，通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光製版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

蝕刻加工，是利用這一原理，對金屬進行定製加工的一門工藝手段。

刻蝕工藝

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在積體電路製造過程中，經過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上覆印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然後把此圖形精確地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化矽、氮化矽、多晶矽）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，製造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術主要分為幹法刻蝕與溼法刻蝕。幹法刻蝕主要利用反應氣體與電漿體進行刻蝕溼法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。