砷化鎵用途

砷化鎵是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，是一種重要的半導體材料。可以製成電阻率比矽、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。其電子遷移率比矽大5～6倍，故在製作微波器件和高速數位電路方面得到重要應用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。還可以用於製作轉移器件─體效應器件。