場效電晶體與可控矽外表區別

1、微件不同：

場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於可控矽的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2、放大係數：

場效電晶體是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差可控矽是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3、輸入電阻：

場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）而可控矽工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比可控矽的輸入電阻高。

4、效能不同：

場效電晶體只有多子參與導電可控矽有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。