rbe的計算公式

Rbe=300+(1+β)26/Ie其中26是個常數，單位是Mv，Ie是發射極電流，單位是Ma，電阻單位計算出來是歐。

Rbe=300+(1+β)26/Ie其中26是個常數，單位是Mv，Ie是發射極電流，單位是Ma，電阻單位計算出來是歐。

Rbe=300+(1+β)26/Ie其中26是個常數，單位是Mv，Ie是發射極電流，單位是Ma，電阻單位計算出來是歐。

rbe的計算公式

e=rbb’+(1+β)(re+re')

其中的re'在做題時都是直接忽略的不用管，所以一般做題就是這個公式

rbe=rbb’+(1+β) re

re是發射結電阻，跟溫度有關：re=VT/IEQ(T是下標，EQ是下標)，因為常溫下VT=26(mV)所以常溫下rbe的計算公式是

rbe=rbb'+(1+β)26 (mV)/IEQ(mA)

rbe的計算公式

通常rbe的計算公式：rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]，計算的是三極體的輸入電阻。三極體全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號，也用作無觸點開關。

三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。其中J型場效電晶體是非絕緣型場效電晶體，MOS FET和VMOS都是絕緣型的場效電晶體。