真空鍍膜原理是什麼

真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD鐳射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。

需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對於濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能鐳射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。

真空鍍膜原理：

1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，藉助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上製出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的電漿化學氣相沉積等。