什麼是氮化鎵外延片

氮化鎵(GaN)外延片（Gallium Nitride （GaN）Epiwafers）是指在藍寶石、矽、氮化矽和氮化鎵等襯底上進行氮化鎵外延。

氮化鎵(GaN)作為第三代半導體核心材料之一，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優良特性，是製作寬波譜、高功率、高效率光電子、電力電子和微電子的理想材料。外延片作為半導體原材料，位於半導體產業鏈上游，是半導體制造產業的支撐性行業。外延片製造商在襯底材料上通過CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）裝置、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）裝置等進行晶體外延生長、製成外延片。