cigs薄膜太陽能電池的優缺點

優點

1、

生產成本低 由於反應溫度低，可在200C左右的溫度下製造，因此可在玻璃、不鏽鋼板、鋁箔、陶瓷板、聚合物等基片上澱積薄膜，易於實現規模化生產，降低成本。

2、

材料用量少 非晶矽光吸收係數大，矽膜的厚度可極薄。例如，使用單晶矽，要充分吸收太陽光，需要的厚度為180 ~ 200um而使用非晶矽，只要1μum就已足夠，並且不需像單晶那樣切片，材料的浪費極少。

3、

製造工藝簡單，可連續、大面積、自動化批量生產 採用玻璃基板的非晶矽太陽電池，其主要工序目前

GIGS薄膜太陽能電池板八大優點。具體如下：

(1)生產成本低

由於反應溫度低，可在200C左右的溫度下製造，因此可在玻璃、不鏽鋼板、鋁箔、陶瓷板、聚合物等基片上澱積薄膜，易於實現規模化生產，降低成本。

(2)材料用量少

非晶矽光吸收係數大，矽膜的厚度可極薄。例如，使用單晶矽，要充分吸收太陽光，需要的厚度為180 ~ 200um而使用非晶矽，只要1μum就已足夠，並且不需像單晶那樣切片，材料的浪費極少。

(3)製造工藝簡單，可連續、大面積、自動化批量生產

採用玻璃基板的非晶矽太陽電池，其主要工序目前普遍採用的是電漿增強型化學氣相澱積(PECVD)法，生產方式具有自動化程度高、生產效率高的特點。此種製作工藝可以連續在多個真空澱積室或多片在一個沉積室內完成，從而實現大批量生產。

CIGS薄膜太陽能的池板12W

(4)製造過程消耗電力少，能量償還時間短

用PECVD法制備非晶矽，基板溫度僅200~250C，且放電電極所需的放電功率密度較低。與單晶矽在1412C以上反覆多次熔解相比，所消耗的電力少得多。晶體矽太陽電池的能量償還時間為2-3年，而轉換效率為6%的非晶矽太陽電池只要1-1.5年

(5)高溫效能好

當太陽能電池工作溫度高於標準測試溫度25C時，其輸出功率會有所下降。對於晶體矽電池，溫度每升高1C，輸出功率約下降0.5% 而薄膜電池溫度係數較低，如非晶矽太陽電池只下降0.25%，因而其輸出功率受溫度的影響比晶體矽太陽電池要小得多。例如，座IMW的單晶矽電池光伏電站，在太陽電池的溫度達到65℃時.輸出功率只有800kW，而如果來用相同功率的CdTe電池，在同樣溫度下，其輸出功率還有900kW。

(6)弱光響應好，充電效率高

由於非晶矽電池在整個可見光範圍內的光譜響應範圍寬，在實際使用中對低光強有較好的適應性，而且能夠吸收散射光。與相同功率的晶體矽太陽電池相比，非晶矽電池的發電量約可增加10%。

GIGS薄膜太陽能電池板72W

(7)不存在內部電路短路問題

實用的整合型薄膜太陽電池已經在工藝中實現了電池互聯輸出電壓高，避免了晶體矽太陽電池元件互聯封裝引起的可靠性等問題。

(8)適合與建築體化( BFV)，可以根據需要製成不同的透光率代替玻璃幕城:地可有成以不鏽鋼或聚合物為村底的柔性電池，適合於建築物曲面屋頂等處使用還可以做成摺疊式電源，方便攜帶，供給小型儀器計算機及軍事通訊GPS等領域的移動裝置使用。

CIGS薄膜太陽能電池板144W

CIGS薄膜太陽能電池板的主要有以下缺點：

(1)轉換效率偏低

特別是規模化生產的非晶矽電池元件，轉換效率大約只有晶體矽電池元件的一半 。

(2)相同功率所需要太陽電池的面積增加

與晶體矽相比，使用時要佔用較大的面積，這在安裝空間有限的情況下，將會受到限制，相應的BOS系統成本也要增加。

(3)穩定性差

由於非晶矽的光致衰減特性，非晶矽電池的光電轉換效率在強光照後含有輸出逐漸衰退的現象。這在一定程度上影響了這種低成本電池的應用。

(4)固定資產投資大

由於製造工藝要用到先進的專]加工裝置，對生產環境的要求比較高，需要較高的投資費用。