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mdd1902場效電晶體引數
mdd1902N溝道100V40ATO-252MOSFET場效電晶體。漏源電壓(Vdss)100漏極電流(Id)40漏源導通電阻(RDSOn)8.7柵源電壓(Vgs)±20配置型別MOSFET場效電晶體工作溫度範圍-55～150。場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸...
