厚膜加热技术原理

厚膜加热是用超导陶瓷材料微粉与有机粘合溶剂调和成糊状浆料，用丝网漏印技术将浆料以电路布线或图案形式印制在基底材料上，经严格热处理程序进行烧结，制成超导厚膜，厚度可在15－80μm范围。该膜层超导转变温度在90K以上，零电阻温度在80K以上。

厚膜集成电路经历了厚膜电阻、无源网络、SMT组装HIC，COB 组装 (板上芯片键合) HIC，密封微电子系统等阶段并发展到今天的多芯片系统( MCS)，经受了技术和生产重大变化的厚膜HIC，正呈现蓬勃发展的势头。厚膜HIC作为一种功能电路或微电子系统还涉及到电路的设计及组装及封装等问题。

典型厚膜元件的厚度为0.5 至1 密耳 (即12.7~24.5μm) 或更厚一些，而薄膜元件的膜层一般小于1μm，作为导带还可薄至3 nm左右，薄膜技术主要采用蒸发和溅射工艺成膜。