半導體退火爐原理

退火爐是在半導體器件製造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使緻密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

原理：氣體退火窯減去焚燒室，直接用氣體焚燒器將焚燒注入加熱室。爲了削減耗能，氣體退火窯常設置換熱體系，將空氣轉化爲助燃熱風作爲氣體焚燒