pmos驅動電路

pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，全稱為 positive channel Metal Oxide Semiconductor，別名為 positive MOS。

金屬氧化物半導體場效應電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類。

P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的負電壓(源極接地)時，柵極下的N型矽表面呈現P型反型層，成為連線源極和漏極的溝道。

改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應電晶體稱為P溝道增強型場效應電晶體。

如果N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。

這樣的MOS場效應電晶體稱為P溝道耗盡型場效應電晶體。統稱為pmos電晶體。

P溝道MOS電晶體的空穴遷移率低，因而在MOS電晶體的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，pmos電晶體的跨導小於N溝道MOS電晶體。

此外，P溝道MOS電晶體閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型電晶體——電晶體邏輯電路不相容。

pmos因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體積體電路)出現之後，多數已為NMOS電路所取代。

只是，因pmos電路工藝簡單，價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍採用PMOS電路技術。