n型溝道mos管導通條件
n溝道mos管導通條件
導通時序可分為to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四個時間段,這四個時間段有不同的等效電路。
1)t0-t1:CGS1開始充電,柵極電壓還沒有到達VGS(th),導電溝道沒有形成,MOSFET仍處於關閉狀態。
2)[t1-t2]區間,GS間電壓到達Vgs(th),DS間導電溝道開始形成,MOSFET開啟,DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電,Vgs由Vgs(th)指數增長到Va。
3)[t2-t3]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應,Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過,由於Cgd電容急劇增大,抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態,Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。
4)[t3-t4]區間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小,Cgd電容變小並和Cgs電容一起由外部驅動電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時刻為止。此時Cgs電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小,MOSFET完全開啟。
n型溝道mos管導通條件
N溝道MOS管(一般源極接地),只要柵源電壓Vgs>Vth(通常是0.7V左右),便可在柵極下面的P襯底形成N型溝道,將源極和漏極連在一起,成為導電通道這時只要在漏極加上電壓,便可形成電流,此時電流同時受Vgs和Vds控制當Vgd=Vgs-Vds<Vth時,溝道在漏極夾斷,管子進入飽和區,此時電流僅受Vgs控制(忽略溝道長度調製效應)當漏源電壓Vds太大時,會發生源漏穿通,即漏極和源極連在一起,相當於發生了擊穿,此時會產生很大的電流。
當柵源電壓Vgs太大時,也會發生擊穿,即柵氧化層被擊穿,此時管子失效。
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