三星750固態硬碟用的是什麼快閃記憶體

三星的固態硬碟基本都是TLC快閃記憶體

TLC：每個cell單元儲存3bit資訊，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E程式設計時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。壽命短只是相對而言的，通常來講，經過重度測試的TLC顆粒正常使用5年以上是沒有問題的。

三星750EVO使用的並非3D V-NAND快閃記憶體，而是2D 16nm TLC，來自於三星原廠，在製造工藝上依舊保證了三星快閃記憶體一貫的高品質，在效能與壽命上並沒有縮水。