pbti效應

指的是在一定溫度條件下，在電晶體柵極施加偏置電壓時，電晶體的電學特性發生閾值電壓飄移、飽和電流及跨導減小等退化的效應。

隨著柵極長度不斷縮小和氧化層厚度的不斷減薄，半導體器件的偏壓溫度不穩定性的影響越發顯著，已成為器件退化的主要因素之一。因此，對器件偏壓溫度不穩定性的準確評估和表徵具有重要意義。一一這叫pbti效應

NBTI效應是指在高溫下對PMOSFET施加負柵壓而引起的一系列電學引數的退化（一般應力條件為125℃恆溫下柵氧電場 ，源、漏極和襯底接地）。

NBTI效應是指在高溫下對PMOSFET施加負柵壓而引起的一系列電學引數的退化（一般應力條件為125℃恆溫下柵氧電場 ，源、漏極和襯底接地）。

NBTI效應的產生過程主要涉及正電荷的產生和鈍化，即介面陷阱電荷 和氧化層固定正電荷 的產生以及擴散物質的擴散過程，氫氣和水汽是引起NBTI的兩種主要物質。傳統的R-D模型將NBTI產生的原因歸結於pMOS管在高溫負柵壓下反型層的空穴受到熱激發，隧穿到矽/二氧化矽介面，由於在 介面存在大量的Si-H鍵，熱激發的空穴與Si-H鍵作用生成H原子，從而在 介面留下懸掛鍵，而由於H原子的不穩定性，兩個H原子就會結合，以氫氣分子的形式釋放，遠離 介面向 /柵介面擴散，從而引起閾值電壓的負向漂移。