p型半導體空穴的來源
心理1.25W
1、p型半導體空穴的來源於雜質原子。
2、P型半導體,是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純矽中摻入微量3價元素銦或鋁,由於或鋁原子周圍有3個價電子,與周圍4價矽原子組成共價結合時缺少一個電子,形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子,在這類半導體的導電中起主要作用。
3、在P型半導體中,空穴為多子,自由電子為少子,主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供,自由電子由熱激發形成。
摻入的硼(B)為離子,在其代替矽原子後,使半導體整體表現為空穴多於電子,也就是說,P型半導體中矽的電子沒有消失,只不過矽裡面增加了具有空穴的摻雜離子。同理,N型半導體也是一樣的。
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