三代半導體是什麼
第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 
一、二、三代半導體什麼區別
一、材料:
第一代半導體材料,發明並實用於20世紀50年代,以矽(Si)、鍺(Ge)為代表,特別是Si,構成了一切邏輯器件的基礎。我們的CPU、GPU的算力,都離不開Si的功勞。
第二代半導體材料,發明並實用於20世紀80年代,主要是指化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。其中GaAs在射頻功放器件中扮演重要角色,InP在光通訊器件中應用廣泛……
而第三代半導體,發明並實用於本世紀初年,湧現出了碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等具有寬禁帶(Eg>2.3eV)特性的新興半導體材料,因此也被成為寬禁帶半導體材料
三代半導體指以氮化鎵、碳化矽為代表的化合物半導體,還包括氧化鋅和金剛石材料。第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、抗輻射等諸多優勢特性,在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。目前用在充電樁、光伏等領域的核心部件上,這些領域都是國家重點發展的方向。
第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 
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