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![磷化鎵的介紹]( "磷化鎵的介紹")
磷化鎵的介紹
化合物半導體磷化銦鎵(GaP)，電學性質優越。磷化鎵是第二代半導體材料，廣泛應用於光通訊、積體電路等領域。5G時代技術革新帶來以磷化鎵（GaP）、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料的蓬勃發展。半導體材料按照物理性質可以...
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![氮化鎵比熱容]( "氮化鎵比熱容")
氮化鎵比熱容
比熱容在800度氮化鎵(奈米材料具有寬頻隙，高熱導率，穩定的化學性質，較大的飽和電子漂移速度等優良特點。這些優良的特點使氮化鎵奈米材料可以廣泛地應用於高亮度LED、藍光鐳射器、紫外探測器、大功率耐熱器件。此外，由於...
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![鎵的氫氧化物化學式]( "鎵的氫氧化物化學式")
鎵的氫氧化物化學式
鎵也不如鋁活潑鎵的化學活性低於鋁，在常溫下幾乎不受氧和水的侵蝕，只在高溫下才被氧化（鎵）溶於酸，不溶於水、鹼水溶液。Ga(OH)₃氫氧化鎵是化學物質，分子式是Ga(OH)₃鎵是灰藍色或銀白色的金屬。熔點很低，沸點很高。純液態鎵...
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![磷化氫中磷的化合價]( "磷化氫中磷的化合價")
磷化氫中磷的化合價
磷化氫化學式PH3，磷元素呈-3價。磷化氫是無機化合物，是一種無色、劇毒、易燃的儲存於鋼瓶內的液化壓縮氣體。純淨的磷化氫氣體是無色無味的，但在金屬磷化物產生磷化氫氣體時常帶有乙炔味或者大蒜味或者腐魚味。如果遇到...
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![磷化鋁和磷化氫區別]( "磷化鋁和磷化氫區別")
磷化鋁和磷化氫區別
1、區別一，表現的形態不同，磷化鋁一般是片狀或粉末固體存在，磷化氫是氣體存在。區別二，顏色不同，磷化鋁一般為灰黑色或灰綠色，磷化氫為無色。區別三，組成的成分不同，磷化鋁是赤磷和鋁粉組成的一種物質，磷化氫是磷和氫元素組成...
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![砷化鎵氮化鎵氧化鎵有什麼區別]( "砷化鎵氮化鎵氧化鎵有什麼區別")
砷化鎵氮化鎵氧化鎵有什麼區別
砷化鎵是第二代半導體，氮化鎵是第三代半導體材料，氮化鎵的溫度和頻率特性都優於砷化鎵。氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由於氮化鎵器件的功率密度較高，因此可以提供更大的頻寬、更高的放大器增益，並且由於...
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![磷化三銅中的磷的化合價]( "磷化三銅中的磷的化合價")
磷化三銅中的磷的化合價
磷常見的化合價有正三價、正五價、零價、負三價。1、磷的簡介：磷是第15號化學元素，符號P。處於元素週期表的第三週期、第五主族。磷存在於人體所有細胞中，是維持骨骼和牙齒的必要物質，幾乎參與所有生理上的化學反應。磷還...
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![化學氮化鎵的化合價]( "化學氮化鎵的化合價")
化學氮化鎵的化合價
氮元素是第VA族元素，其化合價為-3價，鎵元素是第IIIA族元素，其化合價為+3價。氮化鎵是化學式GaN，是一種直接能隙的半導體，起常用在發光二極體中。...
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![砷化鎵，什麼是砷化鎵]( "砷化鎵，什麼是砷化鎵")
砷化鎵，什麼是砷化鎵
砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的複式晶格，其晶格常數是5.6419A。室溫下禁頻寬度1.428eV，是直接帶隙半導體，熔點1238℃，質量密度5.307g/cm3...
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![氮化鎵容易壞嗎]( "氮化鎵容易壞嗎")
氮化鎵容易壞嗎
氮化鎵在高頻下效能更好，但頻率越高震盪越大，越容易損壞。氮化鎵，分子式GaN，英文名是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏...
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![砷化鎵用途]( "砷化鎵用途")
砷化鎵用途
砷化鎵是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，是一種重要的半導體材料。可以製成電阻率比矽、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。其電子遷移率比矽大5～6倍，故在...
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![氮化鎵變壓器原理]( "氮化鎵變壓器原理")
氮化鎵變壓器原理
氮化鎵變壓器在變壓的時候原理上是利用了電磁感應原理，兩組線圈，要輸出的能量跟電流頻率和線圈的匝數是成正比的，當電流頻率無法再增加時，就要增加線圈的匝數，這樣也就會增大充電器體積。而氮化鎵充電器就是將氮化鎵做成一...
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![鋁鎵合金化學式]( "鋁鎵合金化學式")
鋁鎵合金化學式
鋁鎵合金的化學式可寫為AL-Ga，是一種金屬與另一種或幾種金屬或非金屬經過混合熔化，冷卻凝固後得到的具有金屬性質的固體產物。可作核反應的熱交換介質高溫溫度計的填充料有機反應中作二酯化的催化劑。工業用途鎵的工業...
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![氧化鎵和砷化鎵區別]( "氧化鎵和砷化鎵區別")
氧化鎵和砷化鎵區別
氧化鎵和砷化鎵是兩種不同的物質。氧化鎵化學式為Ga2O3，是一種透明的氧化物半導體材料。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV。砷化鎵化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，並且不被非氧...
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![氮化鎵原理]( "氮化鎵原理")
氮化鎵原理
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件...
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![氮化鎵原子結構圖]( "氮化鎵原子結構圖")
氮化鎵原子結構圖
結構圖如下圖所示：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率...
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![碳化矽和砷化鎵的區別]( "碳化矽和砷化鎵的區別")
碳化矽和砷化鎵的區別
區別是:砷化鎵是一種重要的半導體材料，為黑色固體，熔點1238°C。它在600°C以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。它製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、噪音小、抗輻射能力強等優點。而碳化矽又...
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![氮化鎵讀音]( "氮化鎵讀音")
氮化鎵讀音
氮化鎵[dànhuàjiā]。氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的...
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![砷化鎵與碳化矽哪個好]( "砷化鎵與碳化矽哪個好")
砷化鎵與碳化矽哪個好
碳化矽好。碳化矽是全球最先進的第三代半導體材料。和第一代的矽、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，尤...
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![氮化鎵和矽基區別]( "氮化鎵和矽基區別")
氮化鎵和矽基區別
這兩種材料的區別如下：(1)物質不同：氮化鎵是一種非金屬氮化物。然而，矽基是一種二氧化矽材料。(2)分子量不同：氮化鎵的分子量大，然而，矽基的分子量較小。(3)用途不同：氮化鎵是半導體材料，然而，矽基則是電晶體基體材料。區別在...
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![氮化鎵為什麼火]( "氮化鎵為什麼火")
氮化鎵為什麼火
因為作為一種全新的半導體材料，氮化鎵用在充電器內的使用效率能夠大幅度提高，但是損耗卻更小。所以氮化鎵充電器最大的優點就是就能夠使用體積更小的變壓器以及其他電感元件，所以相比於傳統充電器，氮化鎵充電器能夠有效縮...
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![氮化鎵能隨便用嗎]( "氮化鎵能隨便用嗎")
氮化鎵能隨便用嗎
不能它是一種具有較大禁頻寬度的半導體，屬於所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率電晶體的優良材料，也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。...
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![230w氮化鎵哪家好]( "230w氮化鎵哪家好")
230w氮化鎵哪家好
230w氮化鎵REMAX還可以。REMAX是香港睿豐實業集團旗下品牌。其全球營銷中心深圳市睿禾科技有限公司成立於2010年，位於國際化大都市深圳擁有5A級現代化辦公區，舒適整潔的辦公環境及產品展示區域，萬餘平米的產品庫房及配套...
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![氮化鎵與碳化矽優劣勢]( "氮化鎵與碳化矽優劣勢")
氮化鎵與碳化矽優劣勢
碳化矽與氮化鎵的優劣勢是：1、效能方面：具體而言，SiC器件可以承受更高的電壓，最高可達1200VGaN器件的工作電壓和功率密度則低於SiC。同時，由於GaN器件的關斷時間幾乎為零（與50V/s的SiMOSFET相比，高電子遷移率使GaN的dV/dt大...
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![綠聯氮化鎵發熱嗎]( "綠聯氮化鎵發熱嗎")
綠聯氮化鎵發熱嗎
綠聯氮化鎵發熱。因為可能會存在因超負荷工作而發燙。當出現異常過熱燙手現象時，建議攜帶好三包憑證和有效購機憑證，前往服務中心進行檢測。...
