釘扎效應

是指費米能級不隨摻雜等而發生位置變化的效應，費米能級釘扎效應是半導體物理中的一個重要概念。反磁化核在外磁場作用下長大成為反磁化疇，然後通過疇壁位移實現反磁化。

產生反磁化核的地方一般是晶體缺陷、摻雜物等，缺陷數目、摻雜物等越多，反磁化核越容易形成，矯頑力也就越低。

但從另外一方面來看缺陷對疇壁還具有一定的釘扎作用，阻礙疇壁位移的進行。