半導體能不能導電

半導體能導電。

1、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，矽、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。

2、常見的半導體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。

3、 在純淨的半導體中摻入微量的某種雜質後，它的導電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純矽中摻入百萬分之一的硼後，矽的電阻率就大大減小，利用這種特性製成了各種不同的半導體器件，如二極體、雙極型電晶體、場效電晶體及閘流體等。

4、本徵半導體就是完全純淨的、晶格完整的半導體。

5、在本徵半導體的晶體結構中，原子之間以共用電子對的形式構成共價鍵結構。共價鍵中的電子在獲得一定能量後可掙脫原子核的束縛成為自由電子，此時該共價鍵就留下一個空位，成為空穴。自由電子和空穴都稱為載流子。

6、當半導體兩端加上外電壓時，半導體中將出現電子電流、空穴電流，即同時存在著電子導電和空穴導電。這是半導體導電的最大特點，也是半導體和金屬在導電原理上的本質差別。

7、本徵半導體中的自由電子和空穴總是成對出現，同時又不斷複合。在一定溫度下，載流子的產生和複合達到動態平衡。

8、N型半導體是在矽或鍺的晶體中摻入磷（或其他五價元素），半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，也稱作電子半導體。在N型半導體中，自由電子是多數載流子，而空穴是少數載流子。

9、P型半導體是在矽或鍺晶體中摻入硼（或其他三價元素），半導體中形成了大量空穴，空穴導電成為主要的導電方式，也稱作空穴半導體。在P型半導體中，空穴是多數載流子，自由電子是少數載流子。

10、不論是N型半導體還是P型半導體，雖然它們都有一種載流子佔多數，但是整個晶體仍然是不帶電的。

1、半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，矽、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。

2、常見的半導體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。

3、 在純淨的半導體中摻入微量的某種雜質後，它的導電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純矽中摻入百萬分之一的硼後，矽的電阻率就大大減小，利用這種特性製成了各種不同的半導體器件，如二極體、雙極型電晶體、場效電晶體及閘流體等。

4、本徵半導體就是完全純淨的、晶格完整的半導體。

5、在本徵半導體的晶體結構中，原子之間以共用電子對的形式構成共價鍵結構。共價鍵中的電子在獲得一定能量後可掙脫原子核的束縛成為自由電子，此時該共價鍵就留下一個空位，成為空穴。自由電子和空穴都稱為載流子。

6、當半導體兩端加上外電壓時，半導體中將出現電子電流、空穴電流，即同時存在著電子導電和空穴導電。這是半導體導電的最大特點，也是半導體和金屬在導電原理上的本質差別。

7、本徵半導體中的自由電子和空穴總是成對出現，同時又不斷複合。在一定溫度下，載流子的產生和複合達到動態平衡。

8、N型半導體是在矽或鍺的晶體中摻入磷（或其他五價元素），半導體中的自由電子數目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，也稱作電子半導體。在N型半導體中，自由電子是多數載流子，而空穴是少數載流子。

9、P型半導體是在矽或鍺晶體中摻入硼（或其他三價元素），半導體中形成了大量空穴，空穴導電成為主要的導電方式，也稱作空穴半導體。在P型半導體中，空穴是多數載流子，自由電子是少數載流子。

10、不論是N型半導體還是P型半導體，雖然它們都有一種載流子佔多數，但是整個晶體仍然是不帶電的。